Transistor NPN de silicio diseñado para aplicaciones de alta frecuencia en el rango de 30 a 500 MHz. Integra dos transistores en configuración push-pull con emisores comunes, optimizando el rendimiento en sistemas de amplificación de RF. Ofrece una potencia de salida de 125 W a 400 MHz con ganancia de 10 dB y eficiencia del 55%, incluyendo redes de adaptación de impedancia integradas que simplifican el diseño de circuitos.