Transistor NPN de Potencia RF / 470 MHz / 6.2 dB Ganancia / 25 W / 16 VCEO / 103 W Disipación

Características Principales

• Tecnología de silicio avanzada para máxima eficiencia
• Impedancia de entrada y salida controlada
• Alta ganancia de potencia: 6.2 dB a 470 MHz
• Disipación térmica de 103 W con derating de 0.59 W/°C
• Resistencia térmica juntura-carcaza de 1.7 °C/W
• Rango de temperatura de almacenamiento: -65°C a +150°C