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Transistor de Potencia RF / FET Canal N / 8 W / 520 MHz / 12.5 Vcc / SMD

Modelo MRF-1518-T1

$358.44o 6 MSI de $59.74Precio por pieza con IVA. Existencias confirmadas por un asesor.

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6 MSI con tarjeta de crédito
Soporte y mantenimiento
Garantía 3 años

El transistor de potencia RF MRF1518T1 es un dispositivo FET de canal N diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. Su alta ganancia de potencia de 11 dB y rendimiento de banda ancha lo hacen ideal para amplificadores de fuente común de gran señal en equipos FM móviles de 12.5 voltios. El dispositivo ofrece excelente estabilidad térmica y capacidad para manejar condiciones de desadaptación severas, garantizando operación confiable en entornos exigentes.

Características Principales

Transistor FET de canal N con potencia de salida de 8 W
Frecuencia máxima de operación de 520 MHz
Alta ganancia de potencia de 11 dB
Eficiencia del 55% a 12.5 Vcc
Estabilidad térmica superior para operación continua
Diseño SMD en envase plástico RF
Capacidad para manejar 20:1 VSWR @ 15.5 Vcc, 520 MHz, 2 dB de sobremodulación
Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie

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